Тип крепления
Through Hole
Происхождение товара
Guangdong, China
Рабочая температура
150°C (TJ)
Применение
Trantor MOSFET, Electronic products
Тип Поставщика
Оригинальный производитель, Оптовая продажа женское бельё, Агентство, Розничный продавец, Other
Перекрестная ссылка
PNP 40V 600mA
Доступные методы
Техническое описание, Фото, EDA/CAD модели, Other
品名
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220
Коллектор тока (Ic) (макс)
1
Пробой излучателя коллектора напряжения (макс.)
1
Насыщенность Vce (Макс) @ Ib, Ic
1
Отсек коллектора тока (макс.)
1
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce
1
Рабочая Температура
Original
Резистор-основание (R1)
1
Основание резистора-излучателя (R2)
1
Полевых транзисторов типа
N-Channel
Полевого транзистора характеристика
Карбид кремния (SiC)
Слив в исходное напряжение (Vdss)
400V
Ток-непрерывный слив (Id) при 25 °C
5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1Ohm @ 3A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (Max) @ Vds
530pF @ 25V
Номинальный ток (Ампер)
1
Power-выходная мощность
1
Напряжение привода (Макс Rds вкл., мин Rds вкл.)
10V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
1
Входная емкость (Cies) @ Vce
1
Пробой напряжения (V (BR) GSS)
1
Ток-слив (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
1
Отключение напряжения (VGS off) @ Id
1
Сопротивление-RDS (ВКЛ)
1
Смещение напряжения (Vt)
1
Ток-ворота для утечки анода (Igao)
1
Storage
In strict condution
Capacitance
Factory Performance